ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 इन्वर्टर बोर्ड IGCT मॉड्यूल
विवरण
| उत्पादन | एबीबी |
| नमूना | 5SHY4045L0001 |
| आदेश की जानकारी | 3बीएचबी018162 |
| सूची | वीएफडी स्पेयर्स |
| विवरण | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 इन्वर्टर बोर्ड IGCT मॉड्यूल |
| मूल | संयुक्त राज्य अमेरिका (यूएस) |
| एचएस कोड | 85389091 |
| आयाम | 16सेमी*16सेमी*12सेमी |
| वज़न | 0.8किग्रा |
विवरण
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ABB का एक एकीकृत गेट-कम्यूटेड थाइरिस्टर (IGCT) उत्पाद है, जो 5SHY श्रृंखला से संबंधित है।
आईजीसीटी एक नए प्रकार का इलेक्ट्रॉनिक उपकरण है जो 1990 के दशक के अंत में सामने आया।
यह IGBT (इंसुलेटेड गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर) और GTO (गेट टर्न-ऑफ थाइरिस्टर) के लाभों को जोड़ता है, और इसमें तेज़ स्विचिंग गति, बड़ी क्षमता और बड़ी आवश्यक ड्राइविंग शक्ति की विशेषताएं हैं।
विशेष रूप से, 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 की क्षमता GTO के बराबर है, लेकिन इसकी स्विचिंग गति GTO की तुलना में 10 गुना तेज है, जिसका अर्थ है कि यह कम समय में स्विचिंग क्रिया को पूरा कर सकता है और इस प्रकार बिजली रूपांतरण दक्षता में सुधार कर सकता है।
इसके अलावा, जीटीओ की तुलना में, आईजीसीटी विशाल और जटिल स्नबर सर्किट को बचा सकता है, जो सिस्टम डिजाइन को सरल बनाने और लागत को कम करने में मदद करता है।
हालांकि, यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि हालांकि आईजीसीटी के कई फायदे हैं, फिर भी इसके लिए आवश्यक ड्राइविंग शक्ति अभी भी बड़ी है।
इससे ऊर्जा की खपत और सिस्टम की जटिलता बढ़ सकती है। इसके अलावा, हालांकि IGCT उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में GTO को बदलने की कोशिश कर रहा है, फिर भी इसे अन्य नए उपकरणों (जैसे IGBT) से कड़ी प्रतिस्पर्धा का सामना करना पड़ रहा है।
5SHY4045L00013BHB018162R0001 एकीकृत गेट कम्यूटेड ट्रांजिस्टर | जीसीटी (इंटीग्रेटेड गेट कम्यूटेड ट्रांजिस्टर) एक नया पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस है जिसका उपयोग विशाल पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में किया जाता है जो 1996 में आया था।
आईजीसीटी एक नया उच्च शक्ति वाला अर्धचालक स्विच उपकरण है, जो जीटीओ संरचना पर आधारित है, जो गेट हार्ड ड्राइव के लिए एकीकृत गेट संरचना का उपयोग करता है, बफर मध्य परत संरचना और एनोड पारदर्शी एमिटर प्रौद्योगिकी का उपयोग करता है, जिसमें थाइरिस्टर की ऑन-स्टेट विशेषताएं और ट्रांजिस्टर की स्विचिंग विशेषताएं शामिल हैं।
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 बफर संरचना और उथले उत्सर्जक प्रौद्योगिकी का उपयोग करता है, जो गतिशील हानि को लगभग 50% तक कम करता है।
इसके अलावा, इस प्रकार के उपकरण एक चिप पर अच्छी गतिशील विशेषताओं के साथ एक फ्रीव्हीलिंग डायोड को भी एकीकृत करते हैं, और फिर एक अनोखे तरीके से थाइरिस्टर के कम ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप, उच्च अवरोधन वोल्टेज और स्थिर स्विचिंग विशेषताओं के कार्बनिक संयोजन का एहसास करते हैं।
